La Manche Alpha And Omega Semiconductor des transistors MOSFET 400V 4.2A N de thyristor de la diode AOD5N40
thyristor de la diode 400V
,AOD5N40
,4.2A Alpha And Omega Semiconductor
Alpha de la Manche des transistors MOSFET 400V4.2A N de thyristors des diodes AOD5N40 et semi-conducteur d'Omega
- L'AOD5N40uses a avancé la technologie de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte aussi basses comme 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme commutateur de charge ou dans des applications de PWM.
Numéro de la pièce interne | AOD5N40 | |
Statut sans plomb/statut de RoHS | Sans plomb/RoHS conforme | |
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) | |
Statut de production (cycle de vie) | Dans la production | |
Condition | Nouveau et inutilisé, original scellé | |
D'autres documents connexes | Politique de vert d'AOS | |
Forfait standard | 2 500 | |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets | |
Famille | FETs - simples | |
Série | - | |
Emballage | Bande et bobine (TR) | |
Type de FET | N-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal | |
Caractéristique de FET | Norme | |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 400V | |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 4.2A (comité technique) | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1,6 ohms @ 1A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) @ Vgs | 8.5nC @ 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
Puissance - maximum | 78W | |
Montage du type | Bâti extérieur | |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 | |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252, (D-PAK) | |
Poids | 0,001 KILOGRAMMES | |
Application | Email pour des détails | |
Partie alternative (remplacement) | AOD5N40 | |
Liens relatifs | AOD, AOD5N40 fiche technique, distributeur d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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