Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ BSL214NL6327HTSA1
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BSL214NL6327HTSA1
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
OptiMOS™
Introduction au projet
Caractéristiques BSL214NL6327HTSA1
Statut de partie | Obsolète |
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Type de FET | N-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 1.5A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.2V @ 3.7µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 143pF @ 10V |
Puissance - maximum | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TSOP6-6 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage BSL214NL6327HTSA1
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable