Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ BTS7904BATMA1
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BTS7904BATMA1
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
OptiMOS™
Introduction au projet
Caractéristiques BTS7904BATMA1
Statut de partie | Obsolète |
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Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 55V, 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 40A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | mOhm 11,7 @ 20A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.2V @ 40µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 121nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 6100pF @ 25V |
Puissance - maximum | 69W, 96W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-263-6, ² PAK (5 avances + étiquettes) de D, TO-263BA |
Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO263-5 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage BTS7904BATMA1
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable