Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BSO4804T
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BSO4804T
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
OptiMOS™
Introduction au projet
Caractéristiques de BSO4804T
Statut de partie | Obsolète |
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Type de FET | N-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 8A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 20 mOhm @ 8A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2V @ 30µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 870pF @ 25V |
Puissance - maximum | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de BSO4804T
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable