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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ BSL308PEL6327HTSA1

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BSL308PEL6327HTSA1
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
OptiMOS™
Introduction au projet

Caractéristiques BSL308PEL6327HTSA1

Statut de partie Obsolète
Type de FET P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 2A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 80 mOhm @ 2A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 11µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 500pF @ 15V
Puissance - maximum 500mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Paquet de dispositif de fournisseur PG-TSOP6-6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BSL308PEL6327HTSA1

Détection

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Nombre de pièces:
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