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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON7804_102

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
AON7804_102
Fabricant:
Alpha & ; Omega Semiconductor Inc.
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques AON7804_102

Statut de partie Obsolète
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 9A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 888pF @ 15V
Puissance - maximum 3.1W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-PowerSMD, avances plates
Paquet de dispositif de fournisseur 8-DFN (3x3)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage AON7804_102

Détection

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Nombre de pièces:
Negotiable