Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ RJM0603JSC-00#13
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
RJM0603JSC-00#13
Fabricant:
L'électronique Amérique de Renesas
Description:
Transistor MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101
Introduction au projet
Caractéristiques RJM0603JSC-00#13
| Statut de partie | Obsolète |
|---|---|
| Type de FET | P-canal 3 N et 3 (pont triphasé) |
| Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique, commande 4.5V |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 20A |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Puissance - maximum | 54W |
| Température de fonctionnement | 175°C |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | (0,433", largeur de 11.00mm) protection 20-SOIC exposée |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 20-HSOP |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage RJM0603JSC-00#13
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable