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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'AON2801L#A

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
AON2801L#A
Fabricant:
Alpha & ; Omega Semiconductor Inc.
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques d'AON2801L#A

Statut de partie Obsolète
Type de FET P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 700pF @ 10V
Puissance - maximum 1.5W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 6-WDFN a exposé la protection
Paquet de dispositif de fournisseur 6-DFN (2x2)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'AON2801L#A

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable