Envoyer le message
À la maison > produits > Transistor à effet de champ > Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON6920_001

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON6920_001

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
AON6920_001
Fabricant:
Alpha & ; Omega Semiconductor Inc.
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques AON6920_001

Statut de partie Obsolète
Type de FET N-canal 2 (double) asymétrique
Caractéristique de FET Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 15A, 26.5A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 5,2 mOhm @ 20A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1560pF @ 15V
Puissance - maximum 2W, 2.2W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-PowerWDFN
Paquet de dispositif de fournisseur 8-DFN (5x6)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage AON6920_001

Détection

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON6920_001Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON6920_001Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON6920_001Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON6920_001

Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable