SSM6L36FE, rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de LM
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SSM6L36FE,LM
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
SSM6L36FE, caractéristiques de LM
Statut de partie | Actif |
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Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 500mA, 330mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 46pF @ 10V |
Puissance - maximum | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SOT-563, SOT-666 |
Paquet de dispositif de fournisseur | ES6 (1.6x1.6) |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
SSM6L36FE, emballage de LM
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable