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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'UM6K31NTN

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
UM6K31NTN
Fabricant:
Semi-conducteur de Rohm
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques d'UM6K31NTN

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique, commande 2.5V
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 250mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 2,4 ohms @ 250mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 15pF @ 25V
Puissance - maximum 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquet de dispositif de fournisseur UMT6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage d'UM6K31NTN

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable