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À la maison > Products > Transistor à effet de champ > SSM6N7002KFU, SI rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ

SSM6N7002KFU, SI rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ

SSM6N7002KFU, SI rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ
SSM6N7002KFU, SI rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SSM6N7002KFU, SI
Fabricant:
Semi-conducteur et stockage de Toshiba
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

SSM6N7002KFU, SI caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 300mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 1,5 ohms @ 100mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 40pF @ 10V
Puissance - maximum 285mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquet de dispositif de fournisseur US6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

SSM6N7002KFU, SI empaquetant

Détection

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Nombre de pièces:
Negotiable
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