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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ CAS120M12BM2

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
CAS120M12BM2
Fabricant:
Cree/Wolfspeed
Description:
MODULE du TRANSISTOR MOSFET 2N-CH 1200V 193A
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
Z-Rec®
Introduction au projet

Caractéristiques CAS120M12BM2

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (demi pont)
Caractéristique de FET Norme
Vidangez à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 193A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 16 mOhm @ 120A, 20V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.6V @ 6mA (type)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 378nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 6300pF @ 1000V
Puissance - maximum 925W
Température de fonctionnement -40°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti de châssis
Paquet/cas Module
Paquet de dispositif de fournisseur Module
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage CAS120M12BM2

Détection

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Nombre de pièces:
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