Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDPC8011S
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDPC8011S
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet
Caractéristiques de FDPC8011S
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal 2 (double) asymétrique |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 25V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 13A, 27A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 6 mOhm @ 13A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1240pF @ 13V |
Puissance - maximum | 800mW, 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-PowerWDFN |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FDPC8011S
Détection
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable