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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDPC8011S

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDPC8011S
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet

Caractéristiques de FDPC8011S

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double) asymétrique
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 25V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 13A, 27A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 6 mOhm @ 13A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1240pF @ 13V
Puissance - maximum 800mW, 900mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-PowerWDFN
Paquet de dispositif de fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de FDPC8011S

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable