Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDMS3620S
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDMS3620S
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet
Caractéristiques de FDMS3620S
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal 2 (double) asymétrique |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 25V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 17.5A, 38A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 4,7 mOhm @ 17.5A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1570pF @ 13V |
Puissance - maximum | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-PowerTDFN |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-PQFN (5x6), Power56 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FDMS3620S
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable