Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de TC8020K6-G
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
TC8020K6-G
Fabricant:
Technologie de puce
Description:
Transistor MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de TC8020K6-G
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | P-canal 6 N et 6 |
| Caractéristique de FET | Norme |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | - |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 8 ohms @ 1A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.4V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Puissance - maximum | - |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 56-VFQFN a exposé la protection |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 56-QFN (8x8) |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de TC8020K6-G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable