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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN601DMK-7

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMN601DMK-7
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques DMN601DMK-7

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 510mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 2,4 ohms @ 200mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 304nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 50pF @ 25V
Puissance - maximum 700mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-23-6
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-26
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage DMN601DMK-7

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable