Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN601DMK-7
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMN601DMK-7
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques DMN601DMK-7
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 510mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 2,4 ohms @ 200mA, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 304nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 50pF @ 25V |
Puissance - maximum | 700mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SOT-23-6 |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-26 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage DMN601DMK-7
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable