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BSS84AKV, 115 rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
BSS84AKV, 115
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, TrenchMOS™
Introduction au projet

BSS84AKV, 115 caractéristiques

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 50V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 170mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 7,5 ohms @ 100mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 0.35nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 36pF @ 25V
Puissance - maximum 500mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-563, SOT-666
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-666
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

BSS84AKV, emballage 115

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable