Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDC6320C
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDC6320C
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de FDC6320C
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 25V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 220mA, 120mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 4 ohms @ 400mA, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Puissance - maximum | 700mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Paquet de dispositif de fournisseur | 6-SSOT |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FDC6320C
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable