Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ PHC2300,118
Les spécifications
Numéro de la pièce:
PHC2300,118
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques PHC2300,118
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 300V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 340mA, 235mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 6 ohms @ 170mA, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 6.24nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 102pF @ 50V |
Puissance - maximum | 1.6W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage PHC2300,118
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable