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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ AON4605_001

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
AON4605_001
Fabricant:
Alpha & ; Omega Semiconductor Inc.
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques AON4605_001

Statut de partie Obsolète
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 4.3A, 3.4A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 50 mOhm @ 4.3A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 210pF @ 15V
Puissance - maximum 1.9W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SMD, avance plate
Paquet de dispositif de fournisseur 8-DFN (3x2)
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage AON4605_001

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable