Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDS4935A
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDS4935A
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet
Caractéristiques de FDS4935A
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 7A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1233pF @ 15V |
Puissance - maximum | 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SOIC |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FDS4935A
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable