Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI1539CDL-T1-GE3
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SI1539CDL-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V SOT363
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
TrenchFET®
Introduction au projet
Caractéristiques SI1539CDL-T1-GE3
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 700mA, 500mA |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 388 mOhm @ 600mA, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 28pF @ 15V |
Puissance - maximum | 340mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-363 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage SI1539CDL-T1-GE3
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable