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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI1539CDL-T1-GE3

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SI1539CDL-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V SOT363
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
TrenchFET®
Introduction au projet

Caractéristiques SI1539CDL-T1-GE3

Statut de partie Actif
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 700mA, 500mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 388 mOhm @ 600mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 1.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 28pF @ 15V
Puissance - maximum 340mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-363
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage SI1539CDL-T1-GE3

Détection

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Nombre de pièces:
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