Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMC3021LSD-13
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMC3021LSD-13
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques DMC3021LSD-13
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 8.5A, 7A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 21 mOhm @ 7A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 16.1nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 767pF @ 10V |
Puissance - maximum | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage DMC3021LSD-13
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable