FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDC6305N
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet
FDC6305N Specifications
| Part Status | Active |
|---|---|
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Shipment | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Condtion | New original factory. |
FDC6305N Packaging
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable