Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ d'AO6602L
Les spécifications
Numéro de la pièce:
AO6602L
Fabricant:
Alpha & ; Omega Semiconductor Inc.
Description:
Transistor MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques d'AO6602L
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | - |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 240pF @ 15V |
Puissance - maximum | 1.15W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SC-74, SOT-457 |
Paquet de dispositif de fournisseur | 6-TSOP |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage d'AO6602L
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable