Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ DMN2005DLP4K-7
Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
DMN2005DLP4K-7
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques DMN2005DLP4K-7
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type de FET | N-canal 2 (double) |
| Caractéristique de FET | Norme |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 300mA |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1,5 ohms @ 10mA, 4V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 900mV @ 100µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | - |
| Puissance - maximum | 400mW |
| Température de fonctionnement | -65°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 6-SMD, aucune avance |
| Paquet de dispositif de fournisseur | X2-DFN1310-6 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage DMN2005DLP4K-7
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable