Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de STS2DNF30L
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STS2DNF30L
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
STripFET™
Introduction au projet
Caractéristiques de STS2DNF30L
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 3A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 110 mOhm @ 1A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 121pF @ 25V |
Puissance - maximum | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de STS2DNF30L
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable