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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de STS2DNF30L

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STS2DNF30L
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
STripFET™
Introduction au projet

Caractéristiques de STS2DNF30L

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 110 mOhm @ 1A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 4.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 121pF @ 25V
Puissance - maximum 2W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SO
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de STS2DNF30L

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable