Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ FDS9945
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDS9945
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série:
PowerTrench®
Introduction au projet
Caractéristiques FDS9945
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal 2 (double) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 3.5A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 420pF @ 30V |
Puissance - maximum | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage FDS9945
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable