Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDS8928A
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FDS8928A
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
TRANSISTOR MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de FDS8928A
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V, 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 5.5A, 4A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 900pF @ 10V |
Puissance - maximum | 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FDS8928A
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable