Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMHC6A07T8TA
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ZXMHC6A07T8TA
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet
Caractéristiques de ZXMHC6A07T8TA
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal 2 N et 2 (H-pont) |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 60V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 1.6A, 1.3A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 166pF @ 40V |
Puissance - maximum | 1.3W |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | SOT-223-8 |
Paquet de dispositif de fournisseur | SM8 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de ZXMHC6A07T8TA
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable