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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMHC6A07T8TA

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
ZXMHC6A07T8TA
Fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Introduction au projet

Caractéristiques de ZXMHC6A07T8TA

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal 2 N et 2 (H-pont)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 1.6A, 1.3A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 3.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 166pF @ 40V
Puissance - maximum 1.3W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas SOT-223-8
Paquet de dispositif de fournisseur SM8
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de ZXMHC6A07T8TA

Détection

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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable