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Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated

Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Description:
IGBT 600V 110A 446W TO247
Numéro de la pièce:
APT50GT60BRDQ2G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
Coup de foudre IGBT®
Surligner:

APT50GT60BRDQ2G

,

Transistor bipolaire isolé IGBT de porte

,

IGBT a isolé le transistor bipolaire de porte

Introduction au projet

Transistors IGBTs de module d'alimentation d'APT50GT60BRDQ2G IGBT simple

Caractéristiques d'APT50GT60BRDQ2G

Statut de partie Actif
Type d'IGBT TNP
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 600V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 110A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) 150A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 2.5V @ 15V, 50A
Puissance - maximum 446W
Énergie de changement 995µJ (dessus), 1070µJ ()
Type d'entrée Norme
Charge de porte 240nC
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C 14ns/240ns
Condition d'essai 400V, 50A, 5 ohms, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) 22ns
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Par le trou
Paquet/cas TO-247-3
Paquet de dispositif de fournisseur TO-247 [B]
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale
 

Emballage d'APT50GT60BRDQ2G

 

 

Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G InsulatedGate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G InsulatedGate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated

Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated

Pièces relatives pour APT50GT60BRDQ2G

STM32G031G6U6 STM32G031G6U6 TJA1021T/20
TJA1021T/20 TJA1021T/20 AM4378BZDN100
AM4378BZDN100 AM4378BZDN100 AD8338ACPZ
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TPS62060DSG TPS62060DSG STM32F429
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  1. Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated
    Samantha Smith
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    27 mai 2018
  1. Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated
    Adam Taylor
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    16 avril 2019

 

  1. Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated
    Helena Garcia
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    2 janvier 2020

Gate Bipolar Transistor IGBT Module Microsemi Corporation 50GT60 d'APT50GT60BRDQ2G Insulated

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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