Transistors IGBTs de module d'alimentation de RJH60D5BDPQ-E0#T2 IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Fabricant:
L'électronique Amérique de Renesas
Description:
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques RJH60D5BDPQ-E0#T2
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | Fossé |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 75A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | - |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.2V @ 15V, 37A |
| Puissance - maximum | 200W |
| Énergie de changement | 400µJ (dessus), 810µJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 78nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 50ns/130ns |
| Condition d'essai | 300V, 37A, 5 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 25ns |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage RJH60D5BDPQ-E0#T2
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable