Transistors IGBTs de module d'alimentation d'IRG8P50N120KD-EPBF IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
IRG8P50N120KD-EPBF
Fabricant:
Infineon Technologies
Description:
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques d'IRG8P50N120KD-EPBF
| Statut de partie | Obsolète |
|---|---|
| Type d'IGBT | - |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1200V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 80A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 105A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2V @ 15V, 35A |
| Puissance - maximum | 350W |
| Énergie de changement | 2.3mJ (dessus), 1.9mJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 315nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 35ns/190ns |
| Condition d'essai | 600V, 35A, 5 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 170ns |
| Température de fonctionnement | -40°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247AD |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage d'IRG8P50N120KD-EPBF
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable