Transistors IGBTs de module d'alimentation d'APT100GN60B2G IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
APT100GN60B2G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
IGBT 600V 229A 625W TMAX
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques d'APT100GN60B2G
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 229A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 300A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 1.85V @ 15V, 100A |
Puissance - maximum | 625W |
Énergie de changement | 4.7mJ (dessus), 2.675mJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 600nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 31ns/310ns |
Condition d'essai | 400V, 100A, 1 ohm, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet/cas | Variante TO-247-3 |
Paquet de dispositif de fournisseur | - |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage d'APT100GN60B2G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable