Transistors IGBTs de module d'alimentation d'IXBX75N170 IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
IXBX75N170
Fabricant:
IXYS
Description:
IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
BIMOSFET™
Introduction au projet
Caractéristiques IXBX75N170
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | - |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1700V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 200A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 580A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 3.1V @ 15V, 75A |
| Puissance - maximum | 1040W |
| Énergie de changement | - |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 350nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | - |
| Condition d'essai | - |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 1.5µs |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PLUS247™-3 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage IXBX75N170
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable