Transistors IGBTs de module d'alimentation d'APT40GP60B2DQ2G IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
APT40GP60B2DQ2G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
IGBT 600V 100A 543W TMAX
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
MOS 7® DE PUISSANCE
Introduction au projet
Caractéristiques d'APT40GP60B2DQ2G
Statut de partie | Pas pour de nouvelles conceptions |
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Type d'IGBT | Pinte |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 100A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 160A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.7V @ 15V, 40A |
Puissance - maximum | 543W |
Énergie de changement | 385µJ (dessus), 350µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 135nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 20ns/64ns |
Condition d'essai | 400V, 40A, 5 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet/cas | Variante TO-247-3 |
Paquet de dispositif de fournisseur | - |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage d'APT40GP60B2DQ2G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable