Transistors IGBTs de module d'alimentation d'IXYA8N90C3D1 IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
IXYA8N90C3D1
Fabricant:
IXYS
Description:
IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
GenX3™, XPT™
Introduction au projet
Caractéristiques IXYA8N90C3D1
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | - |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 900V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 20A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 48A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.5V @ 15V, 8A |
Puissance - maximum | 125W |
Énergie de changement | 460µJ (dessus), 180µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 13.3nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 16ns/40ns |
Condition d'essai | 450V, 8A, 30 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 114ns |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-263AA |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage IXYA8N90C3D1
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable