Transistors IGBTs de module d'alimentation de RGTH00TS65GC11 IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
RGTH00TS65GC11
Fabricant:
Semi-conducteur Rohm
Description:
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques RGTH00TS65GC11
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 650V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 85A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 200A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.1V @ 15V, 50A |
Puissance - maximum | 277W |
Énergie de changement | - |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 94nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 39ns/143ns |
Condition d'essai | 400V, 50A, 10 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -40°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet/cas | TO-247-3 |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247N |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage RGTH00TS65GC11
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable