Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGB30V60F IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STGB30V60F
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
PORTE FIELD-STOP IGBT, V S DE FOSSÉ
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de STGB30V60F
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 60A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 120A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.3V @ 15V, 30A |
Puissance - maximum | 260W |
Énergie de changement | 383µJ (dessus), 233µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 163nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 45ns/189ns |
Condition d'essai | 400V, 30A, 10 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
Paquet de dispositif de fournisseur | D2PAK |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de STGB30V60F
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable