Transistors IGBTs de module d'alimentation de SGS10N60RUFDTU IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
SGS10N60RUFDTU
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
IGBT 600V 16A 55W TO220F
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de SGS10N60RUFDTU
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | - |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 16A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 30A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.8V @ 15V, 10A |
Puissance - maximum | 55W |
Énergie de changement | 141µJ (dessus), 215µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 30nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 15ns/36ns |
Condition d'essai | 300V, 10A, 20 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 60ns |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet/cas | Plein paquet TO-220-3 |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220F |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de SGS10N60RUFDTU
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable