Transistors IGBTs de module d'alimentation de HGTD1N120BNS9A IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
HGTD1N120BNS9A
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de HGTD1N120BNS9A
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | TNP |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1200V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 5.3A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 6A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.9V @ 15V, 1A |
| Puissance - maximum | 60W |
| Énergie de changement | 70µJ (dessus), 90µJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 14nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 15ns/67ns |
| Condition d'essai | 960V, 1A, 82 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252AA |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de HGTD1N120BNS9A
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable