Transistors IGBTs de module d'alimentation d'APT50GN60BDQ2G IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
négociable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
APT50GN60BDQ2G
Fabricant:
Microsemi Corporation
Description:
IGBT 600V 107A 366W TO247
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques d'APT50GN60BDQ2G
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 107A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 150A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 1.85V @ 15V, 50A |
| Puissance - maximum | 366W |
| Énergie de changement | 1185µJ (dessus), 1565µJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 325nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 20ns/230ns |
| Condition d'essai | 400V, 50A, 4,3 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247 [B] |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage d'APT50GN60BDQ2G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable