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Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGD6M65DF2 IGBT simple

Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STGD6M65DF2
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
PORTE FIELD-STOP IGBT, M S DE FOSSÉ
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
M
Introduction au projet

Caractéristiques STGD6M65DF2

Statut de partie Actif
Type d'IGBT Arrêt de champ de fossé
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 650V
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 12A
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) 24A
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC 2V @ 15V, 6A
Puissance - maximum 88W
Énergie de changement 36µJ (dessus), 200µJ ()
Type d'entrée Norme
Charge de porte 21.2nC
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C 15ns/90ns
Condition d'essai 400V, 6A, 22 ohms, 15V
Temps de rétablissement inverse (trr) 140ns
Température de fonctionnement -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63
Paquet de dispositif de fournisseur DPAK
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage STGD6M65DF2

Détection

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