Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGD6M65DF2 IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STGD6M65DF2
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
PORTE FIELD-STOP IGBT, M S DE FOSSÉ
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
M
Introduction au projet
Caractéristiques STGD6M65DF2
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 650V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 12A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 24A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2V @ 15V, 6A |
Puissance - maximum | 88W |
Énergie de changement | 36µJ (dessus), 200µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 21.2nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 15ns/90ns |
Condition d'essai | 400V, 6A, 22 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 140ns |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
Paquet de dispositif de fournisseur | DPAK |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage STGD6M65DF2
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable