Transistors IGBTs de module d'alimentation de STGW10M65DF2 IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
STGW10M65DF2
Fabricant:
STMicroelectronics
Description:
SE DE LA PORTE FIELD-STOP IGBT M DE FOSSÉ
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Série:
M
Introduction au projet
Caractéristiques STGW10M65DF2
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 650V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 20A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 40A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2V @ 15V, 10A |
| Puissance - maximum | 115W |
| Énergie de changement | 120µJ (dessus), 270µJ () |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 28nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 19ns/91ns |
| Condition d'essai | 400V, 10A, 22 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 96ns |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Par le trou |
| Paquet/cas | TO-247-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage STGW10M65DF2
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable