Transistors IGBTs de module d'alimentation de NGTB10N60R2DT4G IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NGTB10N60R2DT4G
Fabricant:
SUR le semi-conducteur
Description:
IGBT 10A 600V DPAK
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de NGTB10N60R2DT4G
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | - |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 20A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 40A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.1V @ 15V, 10A |
Puissance - maximum | 72W |
Énergie de changement | 412µJ (dessus), 140µJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 53nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 48ns/120ns |
Condition d'essai | 300V, 10A, 30 ohms, 15V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 90ns |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
Paquet de dispositif de fournisseur | DPAK |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de NGTB10N60R2DT4G
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable