Transistors IGBTs de module d'alimentation de RGT8BM65DTL IGBT simple
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Description:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
Numéro de la pièce:
RGT8BM65DTL
Fabricant:
Semi-conducteur Rohm
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de RGT8BM65DTL
| Statut de partie | Actif |
|---|---|
| Type d'IGBT | Arrêt de champ de fossé |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 650V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 8A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 12A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 2.1V @ 15V, 4A |
| Puissance - maximum | 62W |
| Énergie de changement | - |
| Type d'entrée | Norme |
| Charge de porte | 13.5nC |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 17ns/69ns |
| Condition d'essai | 400V, 4A, 50 ohms, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) | 40ns |
| Température de fonctionnement | -40°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | TO-252 |
| Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
| Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de RGT8BM65DTL
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable