Transistors IGBTs de module d'alimentation de FGD3N60LSDTM IGBT simple
Les spécifications
Numéro de la pièce:
FGD3N60LSDTM
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
IGBT 600V 6A 40W DPAK
Catégorie:
Transistors - IGBTs - simples
Famille:
Transistors - IGBTs - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de FGD3N60LSDTM
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type d'IGBT | - |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 600V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 6A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 25A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 1.5V @ 10V, 3A |
Puissance - maximum | 40W |
Énergie de changement | 250µJ (dessus), 1mJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 12.5nC |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 40ns/600ns |
Condition d'essai | 480V, 3A, 470 ohms, 10V |
Temps de rétablissement inverse (trr) | 234ns |
Température de fonctionnement | - |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
Paquet de dispositif de fournisseur | D-PAK |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de FGD3N60LSDTM
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable