Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de RV2C001ZPT2L simples
Les spécifications
Numéro de la pièce:
RV2C001ZPT2L
Fabricant:
Semi-conducteur de Rohm
Description:
Transistor MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet
Caractéristiques de RV2C001ZPT2L
Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | P-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 100mA (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 1V @ 100µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 15pF @ 10V |
Vgs (maximum) | ±10V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 100mW (ventres) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 3,8 ohms @ 100mA, 4.5V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | VML1006 |
Paquet/cas | SC-101, SOT-883 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |
Emballage de RV2C001ZPT2L
Détection
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Le stock:
Nombre de pièces:
Negotiable