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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NDS351N simples

Catégorie:
Transistor à effet de champ
Prix:
Negotiable
Méthode de paiement:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Les spécifications
Numéro de la pièce:
NDS351N
Fabricant:
Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description:
Transistor MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
Catégorie:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille:
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Introduction au projet

Caractéristiques de NDS351N

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 1.1A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 3.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 140pF @ 10V
Vgs (maximum) ±20V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 500mW (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 160 mOhm @ 1.4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur SuperSOT-3
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de NDS351N

Détection

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Nombre de pièces:
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